华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司张春艳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种带框架的扇出型封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111354580.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种带框架的扇出型封装结构及其制作方法是由张春艳;孙鹏设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带框架的扇出型封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带框架的扇出型封装结构，包括：芯片；管脚，其在所述芯片的正面；第一绝缘层，其覆盖在所述芯片上；重布线层，其设置在所述第一绝缘层的上方，通过所述第一绝缘层中的通孔与所述管脚电连接；第二绝缘层，其覆盖在所述重布线层上，所述重布线层的至少部分外围区域未被所述第二绝缘层覆盖；框架，其通过焊接的方式与重布线层的至少部分外围区域连接；塑封层，其包裹所述芯片和所述框架，形成塑封体；以及BGA焊球，其电连接至所述第二绝缘层和所述框架上的焊盘。本发明还涉及一种带框架的扇出型封装结构的制作方法。
本发明授权一种带框架的扇出型封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种带框架的扇出型封装结构，包括： 芯片； 管脚，其在所述芯片的正面； 第一绝缘层，其覆盖在所述芯片上； 重布线层，其设置在所述第一绝缘层的上方，通过所述第一绝缘层中的通孔与所述管脚电连接； 第二绝缘层，其覆盖在所述重布线层上，所述重布线层的至少部分外围区域未被所述第二绝缘层覆盖； 框架，其通过焊接的方式与重布线层的至少部分外围区域连接；所述框架布置在芯片正面的四周，从而将芯片正面的管脚向外扇出； 塑封层，其包裹所述芯片和所述框架，形成塑封体；以及 BGA焊球，其电连接至所述第二绝缘层和所述框架上的焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励