格芯(美国)集成电路科技有限公司谷曼获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110689630.4，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构是由谷曼;李文君;S·纳拉亚南设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构在说明书摘要公布了：本发明涉及具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构。一种集成电路IC结构包括具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍。该半导体鳍具有：上鳍部，其在第一纵向延伸区和第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸；位于上鳍部下方的第一子鳍部，其在第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸；以及位于上鳍部下方的第二子鳍部，其在第二纵向延伸区中且具有不同于第一横向尺寸的第二横向尺寸。第二子鳍可用于横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件的漏极扩展区中。无论LDMOS器件的类型如何，第二子鳍都减小了子鳍电流，并且提高了HCI可靠性。
本发明授权具有横向尺寸不同的子鳍延伸区的带鳍IC结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 具有第一纵向延伸区和第二纵向延伸区的半导体鳍，所述半导体鳍具有： 上鳍部，其在所述第一纵向延伸区和所述第二纵向延伸区中具有统一的横向尺寸， 位于所述上鳍部下方的第一子鳍部，其在所述第一纵向延伸区中且具有第一横向尺寸，以及 位于所述上鳍部下方的第二子鳍部，其在所述第二纵向延伸区中且具有小于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸，其中，所述第二子鳍部位于鳍式横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件的漏极扩展区内。
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