清华大学罗毅获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113422295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110636880.1，技术领域涉及：H01S5/323；该发明授权一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法是由罗毅;王健设计研发完成，并于2021-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种多结分布反馈半导体激光器，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB‑LD功能层；所述DFB‑LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB‑LD可以增加激光器的有效发光面积，改善波导截面横向光场分布的对称性，降低激光器的寄生电容参数，从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。
本发明授权一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多结分布反馈半导体激光器，其特征在于，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB-LD功能层； 所述DFB-LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅； 所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区； 所述光栅位于任意一个半导体PN结或相邻两个半导体PN结之间的连接层； 其中，所述多个半导体PN结之间通过隧道结相互连接，所述隧道结由重掺杂的N型和重掺杂的P型材料组成，所述光栅位于隧道结，由沿光传播方向周期性排列的P型半导体和N型半导体构成，并形成光栅隧道结一体结构，位于隧道结处的光栅对光能周期性的吸收或对载流子能周期性的通过或阻挡；所述多个半导体PN结之间的电流只能通过所述隧道结流过。
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