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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013018B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501973.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法是由卡罗尔·佩内尔;阿梅莉·迪赛涅设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法在说明书摘要公布了：一种制造衬底的方法，包括以下步骤：提供包括初始衬底、氮化镓层、掺杂的氮化铟镓层13以及非故意掺杂的氮化铟镓层14的堆叠；将掺杂的氮化铟镓层13和非故意掺杂的氮化铟镓层14转接到阳极氧化支撑体21上，以形成第二堆叠20；将第二堆叠20和对电极浸入电解质溶液中，并在掺杂的氮化铟镓层13和对电极之间施加电压或电流，以对掺杂的氮化铟镓层13进行多孔化，并使非故意掺杂的氮化铟镓层14松弛；将掺杂的氮化铟镓层13和非故意掺杂的氮化铟镓层14转接到关注的支撑体上；以及通过在非故意掺杂的氮化铟镓层上进行外延来形成氮化铟镓层，以获得松弛的外延生长的氮化铟镓层。

本发明授权制造包含松弛的氮化铟镓层的衬底的方法在权利要求书中公布了：1.一种由氮化镓氮化铟镓衬底制造松弛的外延生长的氮化铟镓层的方法，所述方法包括以下步骤： a提供第一堆叠10，所述第一堆叠依次包括初始衬底11、氮化镓层12、掺杂的氮化铟镓层13以及非故意掺杂的氮化铟镓层14，其中，所述掺杂的氮化铟镓层13的掺杂浓度为2*1018至2*1019cm3，所述非故意掺杂的氮化铟镓层14的掺杂浓度小于5*1017cm3； b将所述掺杂的氮化铟镓层13和所述非故意掺杂的氮化铟镓层14转接到阳极氧化支撑体21上，所述非故意掺杂的氮化铟镓层14与所述阳极氧化支撑体21接触以形成第二堆叠20； c将所述掺杂的氮化铟镓层13和对电极连接到电压发生器或电流发生器； d将所述第二堆叠20和所述对电极浸入电解质溶液中， e在所述掺杂的氮化铟镓层13和所述对电极之间施加电压或电流，以使所述掺杂的氮化铟镓层13多孔化； f将经多孔化的所述掺杂的氮化铟镓层13和所述非故意掺杂的氮化铟镓层14转接到关注的支撑体31上；以及 g通过在所述非故意掺杂的氮化铟镓层上进行外延来形成氮化铟镓层，以获得松弛的外延生长的氮化铟镓层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人原子能和替代能源委员会，其通讯地址为：法国巴黎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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