瑞萨电子株式会社津田是文获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件以及半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112736089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011073451.X，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权半导体器件以及半导体器件的制造方法是由津田是文设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。第一栅极绝缘膜是由氧化硅制成并且被添加铪Hf而未添加铝Al的绝缘膜。而且，第二栅极绝缘膜是由氧化硅制成并且被添加铝而未添加铪的绝缘膜。第三栅极绝缘膜是由氧化硅制成并且被添加铝的绝缘膜。进一步地，第四栅极绝缘膜是由氧化硅制成并且被添加铪的绝缘膜。因此，可以降低半导体器件的功耗。
本发明授权半导体器件以及半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体基底材料，具有第一区、第二区、第三区和第四区； 绝缘层，形成在位于所述第一区和所述第二区的每个区中的所述半导体基底材料上； 半导体层，形成在位于所述第一区和所第二区的每个区中的所述绝缘层上； n型的第一场效应晶体管的第一栅极电极，所述第一栅极电极经由第一栅极绝缘膜形成在位于所述第一区中的所述半导体层上； p型的第二场效应晶体管的第二栅极电极，所述第二栅极电极经由第二栅极绝缘膜形成在位于所述第二区中的所述半导体层上； n型的第三场效应晶体管的第三栅极电极，所述第三栅极电极经由第三栅极绝缘膜形成在位于所述第三区中的所述半导体基底材料上；和 p型的第四场效应晶体管的第四栅极电极，所述第四栅极电极经由第四栅极绝缘膜形成在位于所述第四区中的所述半导体基底材料上， 其中所述第一栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铪而未添加铝的绝缘膜， 其中所述第二栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铝而未添加铪的绝缘膜， 其中所述第三栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铝的绝缘膜，并且 其中所述第四栅极绝缘膜是由氧化硅制成的、并且被添加铪的绝缘膜。
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