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株洲中车时代半导体有限公司陈彦获国家专利权

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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223553220U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423003800.7,技术领域涉及:H02M1/32;该实用新型一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构是由陈彦;韩超超;郑宇;朱婷;朱利恒设计研发完成,并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构在说明书摘要公布了:本申请属于柔性直流输电领域,具体涉及一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构,包括栅极驱动与压接式IGBT模块连接;栅极驱动包括控制开关,控制开关和第一驱动电阻并联;压接式IGBT模块包括第一压接式IGBT、第二压接式IGBT、第三压接式IGBT、第一保险、第二保险以及第三保险;第一保险、第二保险以及第三保险分别与第一驱动电阻连接,第一保险与第一压接式IGBT的栅极连接,第二保险与第二压接式IGBT的栅极连接,第三保险与第三压接式IGBT的栅极连接。本申请具有在存在压接式IGBT失效的时候,能够将失效的IGBT断开,使得其他压接式IGBT正常工作,保证稳定的长期通流能力。

本实用新型一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构在权利要求书中公布了:1.一种提升压接式IGBT失效后长期通流能力的结构,其特征是,包括: 栅极驱动1以及压接式IGBT模块2; 所述栅极驱动1与所述压接式IGBT模块2连接; 所述栅极驱动1包括控制开关4,所述控制开关4和第一驱动电阻3并联; 所述压接式IGBT模块2包括若干压接式IGBT,每个压接式IGBT和第一驱动电阻3间设有保险,保险一端与压接式IGBT的栅极连接,另一端与第一驱动电阻3连接; 每个压接式IGBT的集电极相互连接,发射极相互连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人株洲中车时代半导体有限公司,其通讯地址为:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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