重庆云潼科技有限公司颜荨获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553033U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422885698.1，技术领域涉及：H02H3/08；该实用新型一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路是由颜荨;胡绍国;张小兵;廖光朝设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路，旨在提升过流保护响应速度、降低功耗，并提供可视化预警功能。该电路由驱动电路、过流保护电路和稳压电路组成。驱动电路采用PWM信号控制，通过PNP型三极管实现对MOS管的快速导通与关断。过流保护电路以霍尔传感器为核心，实时检测电流并输出信号，与MOS管配合实现过载时的线路切断。稳压电路通过线性稳压器提供稳定的工作电压。相比传统过流保护方案，本电路利用霍尔传感器直接检测电流，避免额外功耗，提高检测精度。保护电路在过载时迅速切断主电流路径，并通过LED提供预警提示。该设计具有响应速度快、能耗低的优势。
本实用新型一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于MOSFET驱动的过流保护电路，其特征在于，包括驱动电路，过流保护电路和稳压电路； 所述驱动电路的电源端连接输入电源，驱动电路的控制端连接PWM控制信号输入，驱动电路的输出端连接过流保护电路的控制端； 所述过流保护电路的电源端连接稳压电路的输出端，过流保护电路的输入端连接待保护线路的输出端，过流保护电路的PWM控制端连接PWM控制信号输入； 所述稳压电路的输入端连接输入电源。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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