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龙图腾网获悉湖北第二师范学院申请的专利利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223552498U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422642174.X，技术领域涉及：H01L21/60；该实用新型利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构是由刘吉康;李莎;李杰;刘秀峰;蔡新添;戴楚;王怀兴;王筠;刘姜涛设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构在说明书摘要公布了：利用HybridBonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片结构，包括晶圆级CIS芯片、硅基承载片、晶圆级CID芯片；晶圆级CIS芯片正面设有粘贴膜层和玻璃层；在晶圆级CIS芯片背面进行减薄处理并形成非键合层；在晶圆级CIS芯片背面设置导电通孔结构；在晶圆级CIS芯片背面设置导电结构；在硅基承载片上设置导电通孔结构；在硅基承载片上设置导电结构；将晶圆级CID芯片和硅基承载片键合在一起，并减薄形成凹槽结构，在其内粘贴第二类芯片；在键合后晶圆上设置第一层绝缘层，在其上设置第一层金属重布线层；在键合后晶圆上设置第二层绝缘层，并设置第二层金属重布线层；在第二层金属重布线层上植球；切割得到单颗Die。该封装结构实现能极大的提高封装效率，显著降低加工成本。

本实用新型利用Hybrid Bonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片的结构在权利要求书中公布了：1.一种利用HybridBonding和FOWLP技术制备晶圆级系统封装芯片结构，其特征在于，包括晶圆级CIS芯片、硅基承载片、晶圆级CID芯片；所述晶圆级CIS芯片正面设有粘贴膜层和玻璃层； 在晶圆级CIS芯片背面进行减薄处理并形成非键合层；在晶圆级CIS芯片背面设置导电通孔结构；在晶圆级CIS芯片背面设置导电结构；在硅基承载片上设置非键合层；在硅基承载片上设置导电通孔结构；在硅基承载片上设置导电结构；将晶圆级CID芯片和硅基承载片键合在一起；在键合后硅基承载片背面进行减薄并形成凹槽结构；在键合片凹槽结构内粘贴第二类芯片；在键合后晶圆上设置第一层绝缘层；在键合后晶圆上设置第一层金属重布线层；在键合后晶圆上设置第二层绝缘层；在键合后晶圆上设置第二层金属重布线层；在键合后晶圆第二层金属重布线层上植球；切割得到单颗Die。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北第二师范学院，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新二路129号物理与机电工程学院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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