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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511277602.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及发光二极管是由舒俊;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及发光二极管，涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一应力释放层、第三多量子阱层和P型半导体层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层、第一GaN层、AlaGa1‑aN层和第二GaN层；第二多量子阱层包括InyGa1‑yN层、第三GaN层、AlbGa1‑bN层和第四GaN层；第一应力释放层包括InαGa1‑αN层和Si掺GaN层；第三多量子阱层包括InzGa1‑zN层、第五GaN层、AlcIndGa1‑c‑dN层和第六GaN层；其中，d＜0.1≤x＜y＜z，a≤b≤c，α≤0.1，Si掺GaN层的厚度≤3nm。实施本发明，可提升各波段光的均匀性以及发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一应力释放层、第三多量子阱层和P型半导体层； 所述第一多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InxGa1-xN层、第一GaN层、AlaGa1-aN层和第二GaN层； 所述第二多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InyGa1-yN层、第三GaN层、AlbGa1-bN层和第四GaN层； 所述第一应力释放层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InαGa1-αN层和Si掺GaN层； 所述第三多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InzGa1-zN层、第五GaN层、AlcIndGa1-c-dN层和第六GaN层； 其中，a的取值范围为0.05~0.25，b的取值范围为0.1~0.3，c的取值范围为0.1~0.4，d的取值范围为0.01~0.08，x的取值范围为0.1~0.13，y的取值范围为0.13~0.18，z的取值范围为0.2~0.23，α≤0.1，且d＜x＜y＜z，a≤b≤c，Si掺GaN层的厚度≤3nm。

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