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无锡中微爱芯电子有限公司杨悦获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡中微爱芯电子有限公司申请的专利一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路和电荷泵电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120750327B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511182545.3,技术领域涉及:H03K3/012;该发明授权一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路和电荷泵电路是由杨悦;权磊;彭博;李文嘉;罗晟;陈峰设计研发完成,并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路和电荷泵电路在说明书摘要公布了:本发明属于模拟集成电路技术领域,特别涉及一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路和电荷泵电路。包括第一延时单元和第二延时单元,其二者结构相同,均由第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻和寄生电容构成;第一触发门单元,所述第一触发门单元的第一输入端用于接入输入时钟信号CLK,所述第一触发门单元的第二输入端用于接入经所述第二延时单元输出的反相输出时钟信号CLKB,所述第一触发门单元的输出端用于接入所述第一延时单元的输入端;第二触发门单元。本发明解决了现有非交叠时钟产生电路的死区时间无法精确匹配被驱动开关管所需死区时间大小的问题,进而提高电荷泵等功率开关电路的工作效率。

本发明授权一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路和电荷泵电路在权利要求书中公布了:1.一种自适应死区时间的非交叠时钟产生电路,用于产生两路非交叠的时钟信号,其特征在于,包括: 第五延时单元和第六延时单元,其二者结构相同,均由第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻和寄生电容构成;所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的栅极共同相连并作为输入端,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的源极分别接入正电源VCC和负电源GND,所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的漏极分别接入所述第一电阻和所述第二电阻的一端,所述第一电阻和所述第二电阻的另一端接入接负电源GND的所述寄生电容,并作为输出端; 第一触发门单元,所述第一触发门单元的第一输入端用于接入输入时钟信号CLK,所述第一触发门单元的第二输入端用于接入经所述第六延时单元输出的反相输出时钟信号CLKB,所述第一触发门单元的输出端用于接入所述第五延时单元的输入端; 第二触发门单元,所述第二触发门单元的第一输入端用于接入输入时钟信号CLK,所述第二触发门单元的第二输入端用于接入经所述第五延时单元输出的同相输出时钟信号CLKA,所述第二触发门单元的输出端用于接入所述第六延时单元的输入端; 所述第一触发门单元包括:第一施密特触发器和第一逻辑门;所述第一施密特触发器的输入端作为所述第一触发门单元的第二输入端,所述第一施密特触发器的输出端接入所述第一逻辑门的第一输入端,所述第一逻辑门的第二输入端作为所述第一触发门单元的第一输入端,所述第一逻辑门的输出端作为所述第一触发门单元的输出端; 所述第二触发门单元包括:第二施密特触发器和第二逻辑门;所述第二施密特触发器的输入端作为所述第二触发门单元的第二输入端,所述第二施密特触发器的输出端接入所述第二逻辑门的第一输入端,所述第二逻辑门的第二输入端作为所述第二触发门单元的第一输入端,所述第二逻辑门的输出端作为所述第二触发门单元的输出端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡中微爱芯电子有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号软件园四期天鹅座C座802-1;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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