江苏芯德半导体科技股份有限公司赵玥获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120731000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511195633.7，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法是由赵玥;张国栋;潘明东;张中;谢雨龙设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法，该方法先在驱动芯片外封装第一塑封层，依次制作第一钝化层、重布线层、第二钝化层，并在第二钝化层上制作高铜柱，用正装或倒装将霍尔芯片贴装于第二钝化层实现芯片的异质集成，在第二钝化层上形成包裹高铜柱和霍尔芯片的第二塑封层，然后减薄第二塑封层至高铜柱的端面露出，在第二塑封层上制作第三钝化层和类QFN长方形焊盘，焊盘超出芯片边界电镀至划片道处，最后对整体晶圆背面磨片至驱动芯片背面露出利于散热，控制结构整体厚度为300μm。本发明实现了传统QFN能以实现的超薄封装厚度，有效提高了芯片的传统封装密度，解决了现有技术中芯片散热性不足的问题。
本发明授权实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种实现霍尔芯片堆叠互联的扇出型晶圆级封装结构的封装方法，其特征在于，所述方法包括： 减薄驱动芯片晶圆，经开槽后划片成单颗的驱动芯片； 将驱动芯片倒装于贴有热剥离膜的钢板模具上，进行塑封形成第一塑封层； 通过热解键合钢板模具后，翻转晶圆，在塑封有驱动芯片的第一塑封层上依次制作第一钝化层、重布线层、第二钝化层，并在第二钝化层上制作出高铜柱； 在第二钝化层上贴装霍尔芯片，实现芯片的异质集成，对已完成的封装结构进行清洗； 在清洗完成后，对晶圆进行塑封在第二钝化层上形成第二塑封层，所述第二塑封层包裹高铜柱、霍尔芯片； 减薄第二塑封层至高铜柱的端面露出，在第二塑封层上制作第三钝化层和类QFN长方形焊盘，所述焊盘超出芯片边界电镀至划片道处，利于后续封装时爬锡； 背面磨片至驱动芯片的背面露出利于散热，再划片成单颗封装产品。
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