苏州苏纳光电有限公司金山获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州苏纳光电有限公司申请的专利沟槽电容电极结构及沟槽电容获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511217027.0，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权沟槽电容电极结构及沟槽电容是由金山;赵培宜;张千一;黄寓洋;卢建娅设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽电容电极结构及沟槽电容在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过具有多重旋转对称性的基元单元高密度排列构成的基元阵列，结合用于后期工艺中金属互联的互联区域的排布设计，大幅提升容值密度的同时，有效增加了电极表面积并优化了电场分布，提升了器件的高频特性，显著提升了器件的电学性能，提高了器件的结构稳定性。
本发明授权沟槽电容电极结构及沟槽电容在权利要求书中公布了：1.一种沟槽电容电极结构，其特征在于，包括： 基底，具有第一表面，所述第一表面包括呈周期性排布的多个互联区域； 基元阵列，设置于所述基底的第一表面上，所述基元阵列包括呈周期性排布的多个基元单元，每个所述基元单元对应一个所述互联区域设置，每个所述基元单元包括环绕其所对应的互联区域设置的多组基元组，每组所述基元组包括并列设置的多个条形基元； 其中，每个所述基元单元具有多重旋转对称性，所述互联区域用于后期工艺中的金属互联。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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