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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种金属电容结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203606.X，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种金属电容结构及其制备方法是由邱盼盼;鄢江兵;陈献龙;赖圣明;郭祝设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属电容结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属电容结构及其制备方法，通过等离子体工艺在第一极板与绝缘层界面处原位生长出一层TixOy过渡层，成功解决了界面粗糙度高的问题，且TixOy的禁带宽度大于氮化钛的禁带宽度，过渡层能够阻碍了载流子跨越界面的迁移，从而抑制了界面处的漏电流，提高了绝缘层的耐压能力，通过等离子体工艺于绝缘层表面形成第一氧化物层，降低了绝缘层表面的界面缺陷，避免了电荷的异常聚集，减少了导致早期击穿的局部强电场集中，从根本上延缓了击穿的发生；富硅氧化物层中的活性Si原子能够捕获等离子体电荷，使得富硅氧化物层作为电荷中和层，阻挡了等离子体工艺中产生的电荷在绝缘层上积累以及向绝缘层内部的迁移和积累，进一步强化了整体的抗击穿能力。

本发明授权一种金属电容结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属电容结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一衬底，于所述衬底上依次制备刻蚀阻挡层和第一极板； 使用第一等离子体对所述第一极板的表面进行氧化处理以在所述第一极板上形成过渡层； 于所述过渡层上沉积绝缘层，并使用第一等离子体对所述绝缘层的表面进行氧化处理以在所述绝缘层上形成第一氧化物层； 于所述第一氧化物层上形成第二极板和第一抗反射层，基于所述第一抗反射层为掩膜层对所述第二极板进行部分刻蚀以显露所述绝缘层，并去除所述第一抗反射层； 使用第二等离子体对所述第二极板的表面以及所述绝缘层进行氧化处理以在所述第二极板上形成第二氧化物层，在所述绝缘层上形成第三氧化物层； 于所述第二氧化物层和所述第三氧化物层上依次形成富硅氧化物层和第二抗反射层，其中，所述富硅氧化物层覆盖所述第二氧化物层和所述第三氧化物层，所述第二抗反射层覆盖所述富硅氧化物层； 对所述第一极板进行刻蚀以去除部分所述第一极板。

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