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龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种磁化等离子体射流发生装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118921828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411108734.1，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权一种磁化等离子体射流发生装置及方法是由赵永正;朱月明;张晓兵;邓露露;郑晓鸣;袁东方;舒青青;张勇勇;熊天宇;杜芃;徐明秀设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁化等离子体射流发生装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁惯性约束聚变技术领域，尤其涉及一种磁化等离子体射流发生装置，包括：电极组件，内部形成有环形腔；使环形腔内形成偏置磁场的偏置场组件；向环形腔内注入气体的气阀进气组件；同轴设于电极组件的下方并向电极组件提供预电离电压和瞬时电流的主电容器传输组件。还涉及采用该装置的磁化等离子体射流发生方法，先由主电容器传输组件向电极组件提供预电离电压，由偏置场组件使电极组件环形腔内形成偏置磁场，然后由气阀进气组件向环形腔的下端内喷入所需质量的气体，气体在预电离电压的作用下预电离形成初始等离子体，再由主电容器传输组件向电极组件提供瞬时电流。可产生高磁雷诺数、高β值、同轴螺旋注入移动的、高密度等离子体。

本发明授权一种磁化等离子体射流发生装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种磁化等离子体射流发生装置，其特征在于，包括： 电极组件1，内部形成有下端封闭且上端敞开的环形腔10； 偏置场组件2，设于所述环形腔10的外侧，所述偏置场组件2用于使所述环形腔10内形成偏置磁场； 气阀进气组件3，设于所述电极组件1的下部，所述气阀进气组件3用于从所述环形腔10的下端向所述环形腔10内注入气体； 主电容器传输组件4，同轴设于所述电极组件1的下方并与所述电极组件1相连接，所述主电容器传输组件4向所述电极组件1提供预电离电压和瞬时电流；所述环形腔10包括从下至上依次连通的锥形腔101、磁化腔102和膨胀腔103，所述锥形腔101的直径从下至上逐渐减小，所述锥形腔101的径向内、外侧壁面均为曲面，所述磁化腔102的直径小于所述膨胀腔103的直径，所述偏置场组件2在所述磁化腔102的外周侧向所述磁化腔102内产生偏置磁场。

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