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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、半导体形成方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118785696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310342001.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体形成方法及存储器是由李晓杰设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、半导体形成方法及存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构、半导体形成方法及存储器，半导体结构包括：具有阵列区和外围区的衬底；位于外围区的第一堆叠结构，第一堆叠结构包括：多层第一半导体层、多层第二半导体层和应力释放层，其中，第一半导体层和第二半导体层依次交替堆叠，应力释放层位于顶部的第一半导体层上；位于阵列区的存储结构，存储结构包括：依次堆叠的多个存储单元；第一外围晶体管结构，设置于第一堆叠结构的顶部表面且第一外围晶体管结构与第一部分的存储单元电连接；第二外围晶体管结构，设置于衬底的顶部表面且第二外围晶体管结构与第二部分的存储单元电连接，以优化半导体结构中阵列区器件和外围区器件的互连方式，并提高三维半导体器件的电性能。

本发明授权半导体结构、半导体形成方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 具有阵列区和外围区的衬底； 位于所述外围区的第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括：多层第一半导体层、多层第二半导体层和应力释放层，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第一半导体层和所述第二半导体层依次交替堆叠，所述应力释放层位于顶部的所述第一半导体层上； 位于所述阵列区的存储结构，所述存储结构包括：在垂直于所述衬底表面的方向上，依次堆叠的多个存储单元； 第一外围晶体管结构，设置于所述第一堆叠结构的顶部表面，且所述第一外围晶体管结构经第一导电台阶结构与第一部分的所述存储单元电连接； 第二外围晶体管结构，设置于所述衬底的顶部表面，且所述第二外围晶体管结构经第二导电台阶结构与第二部分的所述存储单元电连接，所述第二部分的所述存储单元至所述衬底的第二距离小于所述第一部分的所述存储单元至所述衬底的第一距离，所述第一导电台阶结构中的第一导电台阶和所述第二导电台阶结构中的第二导电台阶之间平行。

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