无锡华润上华科技有限公司王浩获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707237B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110908421.4，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法是由王浩;张楠;刘小红;李侠;黄勇;郭术明;龚才设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法，该存储器包括多个存储器单元，存储器单元包括多晶硅熔丝，多晶硅熔丝包括依次相连的第一、第二及第三熔丝段，第一及第三熔丝段的材质均包括掺杂多晶硅，第二熔丝段的材质包括本征多晶硅。本发明利用离子注入对多晶的掺杂过程，产生了一个三明治的多晶区域，即低阻多晶区+本征多晶狭点+低阻多晶区的结构，此结构可有效控制存储器单元的编程位置，熔断位置具有确定性，位置可控，可有效改善存储器单元编程后的阻值分布。此结构还可有效改善存储器单元编程前后的数据稳定性，避免因断而复连导致数据丢失。此外，此结构上层区域利用导电覆盖层遮挡存储单元的数据存储部分，可提高数据保密性。
本发明授权一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶熔丝型非易失性存储器，包括多个存储器单元，其特征在于：所述存储器单元包括多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝包括依次相连的第一熔丝段、第二熔丝段及第三熔丝段，所述第一熔丝段及所述三熔丝段的材质均包括掺杂多晶硅，所述第二熔丝段的材质包括本征多晶硅； 所述存储器单元还包括位于所述多晶硅熔丝上方的导电覆盖层，所述导电覆盖层在所述多晶硅熔丝所在平面的垂直投影遮挡所述第二熔丝段；所述导电覆盖层的材质包括导电金属或多晶硅； 所述存储器单元还包括第一导电材料层及绝缘介质层，所述第一导电材料层位于所述多晶硅熔丝的上表面，所述绝缘介质层位于的第一导电材料层的上表面，所述导电覆盖层位于所述绝缘介质层的上表面。
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