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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护器件及静电保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110901938.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护器件及静电保护电路是由许杞安设计研发完成，并于2021-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护器件及静电保护电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静电保护器件及静电保护电路，该静电保护器件包括：第一导电类型的衬底以及位于第一导电类型的衬底内的第二导电类型的深阱区；位于第二导电类型的深阱区表面的第一导电类型的掺杂区域及第二导电类型的重掺杂区；第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及以下至少一项：第一导电类型的轻掺杂区、第一导电类型的阱区；第一导电类型的重掺杂区位于第一导电类型的轻掺杂区内或者位于第一导电类型的阱区表面；第二导电类型的重掺杂区与第一导电类型的重掺杂区间隔设置。本发明可以降低静电保护器件的电容，提高集成电路响应速度，且维持了原来的静电保护能力。

本发明授权静电保护器件及静电保护电路在权利要求书中公布了：1.一种接电源端的静电保护器件，其特征在于，包括： 第一导电类型的衬底以及位于所述第一导电类型的衬底内的第二导电类型的深阱区； 位于所述第二导电类型的深阱区表面的第一导电类型的掺杂区域及第二导电类型的重掺杂区；在垂直于所述衬底表面的方向上，所述第二导电类型的重掺杂区的正投影与所述第二导电类型的深阱区的正投影部分重合； 所述第一导电类型的掺杂区域包括第一导电类型的重掺杂区及以下至少一项：第一导电类型的轻掺杂区、第一导电类型的阱区； 所述第一导电类型的重掺杂区位于所述第一导电类型的轻掺杂区内或者位于所述第一导电类型的阱区表面； 所述第二导电类型的重掺杂区与所述第一导电类型的重掺杂区间隔设置； 所述器件还包括位于所述第二导电类型的深阱区及所述第一导电类型的衬底表面的第二导电类型的第一阱区及第二阱区； 所述第一阱区与所述第二阱区分别位于所述第一导电类型的阱区两侧，所述第二导电类型的重掺杂区位于所述第二阱区表面，所述第二阱区位于所述第二导电类型的重掺杂区的下方。

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