苏州龙驰半导体科技有限公司张耀辉获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利半导体晶圆的复合结构、半导体晶圆及其制法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115706046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110911403.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体晶圆的复合结构、半导体晶圆及其制法和应用是由张耀辉;黄安东设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶圆的复合结构、半导体晶圆及其制法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体晶圆的复合结构、半导体晶圆及其制法和应用。所述半导体晶圆的制备方法包括：将第一晶圆表层的SiC热氧化形成第一氧化物层；在第二晶圆表面形成第二氧化物层，并在第二晶圆内选定深度处形成剥离层，从而在第二晶圆内分隔出第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层设于剥离层与第二氧化物层之间；将第一氧化物层与第二氧化物层结合，并利用所述剥离层将第一半导体层移除。本发明实施例提供的一种半导体晶圆的制备方法，避免了SiC热氧化带来的C污染问题，提高了SiC热氧化层的质量、减小了SiO2SiC的界面缺陷、提高了沟道载流子的迁移率。
本发明授权半导体晶圆的复合结构、半导体晶圆及其制法和应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆的制备方法，其特征在于包括： 将第一晶圆表层的SiC热氧化形成第一氧化物层，所述第一氧化物层的厚度大于0而小于20埃米； 将第二晶圆的表层热氧化形成第二氧化物层，所述第二氧化物层的厚度在20埃米以上，并在第二晶圆内选定深度处形成剥离层，从而在第二晶圆内分隔出第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层设于剥离层与第二氧化物层之间； 将第一氧化物层与第二氧化物层结合，并利用所述剥离层将第一半导体层移除，所述第二晶圆包括硅晶圆，所述第一氧化物层与第二氧化物层均为氧化硅层。
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