长鑫存储技术有限公司陈鑫欣获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115705459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110931770.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图是由陈鑫欣设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图在说明书摘要公布了：本发明公开了一种虚拟图形填充方法，其包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；若所述版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的第一边界和或第二边界不在同一直线上时，在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。
本发明授权一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图在权利要求书中公布了：1.一种虚拟图形填充方法，其特征在于，包括： 获取未填充的版图布局； 计算所述版图上的不可填充区域； 若所述版图上的不可填充区域至少为两个，且所述不可填充区域为矩形，当相邻的两个不可填充区域的第一边界不在同一直线上，或相邻的两个不可填充区域的第二边界不在同一直线上时，在所述相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域；其中，所述第一边界是所述不可填充区域的上边界，所述第二边界是所述不可填充区域的下边界； 沿所述不可填充区域的所述第一边界和所述第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对； 沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界； 在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向； 去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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