铠侠股份有限公司山阪司祐人获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110172036.8，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及其制造方法是由山阪司祐人设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：根据一实施方式，半导体装置具备：衬底；以及积层膜，包含交替设置在所述衬底上方的多层电极层及多层绝缘层。所述装置还具备：第1半导体层，设置在所述积层膜内；以及第2半导体层，在所述积层膜内设置在所述第1半导体层上，且包含单晶半导体层。所述装置还具备配线层，所述配线层设置在所述积层膜及所述第2半导体层上，与所述第2半导体层电连接。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 衬底； 积层膜，包含交替设置在所述衬底上方的多层电极层及多层绝缘层； 层间绝缘膜，设置在所述积层膜上； 第1半导体层，设置在所述积层膜内； 第2半导体层，在所述层间绝缘膜内，设置在所述第1半导体层上，且包含单晶半导体层；以及 配线层，设置在所述层间绝缘膜及所述第2半导体层上，与所述第2半导体层电连接；且 所述第2半导体层的下表面位于比所述积层膜的最上层的所述电极层的上表面更低的高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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