中电海康集团有限公司孟皓获国家专利权
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龙图腾网获悉中电海康集团有限公司申请的专利一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111319734.2，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结是由孟皓;迟克群设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，包括自由层和势垒层，自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理界面的边缘形成环状缺陷结构。该结构在自由层和势垒层界面处具有环状缺陷结构，环状缺陷结构的界面诱导垂直各向异性较低，从而使自由层整体垂直各向异性能下降，同时在磁性隧道结边缘处形成面内磁化方向，有利于降低临界翻转电流，并且提高磁翻转速度、存储密度和运行速度，同时降低功耗。
本发明授权一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结在权利要求书中公布了：1.一种具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结，其特征在于：所述具有低功耗和高存储密度的磁性隧道结包括自由层和势垒层，所述自由层和势垒层之间生成界面，并通过刻蚀处理所述界面的边缘形成环状缺陷结构，所述刻蚀处理所述界面的边缘即刻蚀处理位于自由层和势垒层界面边缘的自由层原子，所述环状缺陷结构的壁厚为0.1nm~2nm，且所述环状缺陷结构的壁厚对应直径方向并与所述自由层的厚度方向垂直。
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