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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111396304.0，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法是由魏涛;赖志国;杨清华;钱盈;王友良;于保宁设计研发完成，并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种器件芯片，该器件芯片包括：衬底结构，该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；至少一个器件单元，该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。相应地，本发明还提供了一种器件芯片的制造方法、以及基于该器件芯片所形成的封装结构及其制造方法。本发明有利于提高封装结构的散热性能。

本发明授权器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种器件芯片，其特征在于，该器件芯片包括： 衬底结构，所述衬底结构，从下至上依次为第一衬底层、第三衬底层和第二衬底层，该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；并在该第一衬底层的上表面形成至少一个第二盲孔； 至少一个器件单元，该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上，第一衬底层包括与所述器件单元一一对应的核心区域，所述第一衬底层除了所述核心区域之外的区域为非核心区域，所述核心区域中所述导热孔结构的分布密度大于非核心区域，第三衬底层包括与器件单元一一对应的导热区域，每一导热区域位于与其相对应的器件单元的下方，且所述每一导热区域在水平方向上的投影与相对应的所述器件单元在水平方向上的投影之间存在重叠区域，该重叠区域的投影面积与相对应的所述器件单元在水平方向上的投影面积的比例大于50%； 其中，所述第一衬底层在厚度方向上形成贯穿的通孔，所述通孔内填充第一导热材料，所述第二盲孔的侧壁与所述第二衬底层的底面构成第一盲孔，所述第三衬底层由第二导热材料构成且覆盖所述第一衬底层上表面，所述第二衬底层的材料的热导率大于所述第一衬底层的材料的热导率，所述第一导热材料和第二导热材料的热导率均大于所述第一衬底层的材料的热导率。

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