三星电子株式会社劝兑晎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011498309.X，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权半导体存储器装置是由劝兑晎;金燦镐;尹敬和;边大锡;尹治元设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置。为了允许在半导体存储器装置中密集集成大量的堆叠字线，电荷泵被包括在半导体存储器装置中。电荷泵使用电容器。电容器相对于密集集成来实现。一些组件放置在堆叠的字线下面，一些组件不在堆叠的字线下面。不在堆叠字线下面的电容器的容量由并联结构部分地提供。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 基底，包括第一区域和第二区域； 第一下布线，设置在基底的第一区域中； 第二下布线，设置在基底的第二区域中； 堆叠结构，其中，堆叠结构设置在第一下布线上，并且堆叠结构包括在垂直于基底的方向上交替地堆叠的层间绝缘膜和电极垫； 垂直结构，穿透堆叠结构； 隧道绝缘层，沿着垂直结构的侧壁延伸； 电荷存储层，沿着隧道绝缘层的侧壁延伸； 多个贯穿过孔，设置在第二下布线上，其中，所述多个贯穿过孔被配置为将第二下布线和设置在第二区域中的上布线电连接； 第一放大级，包括第一下布线，与堆叠结构垂直地叠置，并且被配置为产生施加到电极垫的第一操作电压；以及 第二放大级，包括第二下布线和所述多个贯穿过孔，不与堆叠结构垂直地叠置，电连接到第一放大级，并且被配置为产生施加到电极垫的第二操作电压， 其中，第一放大级和第二放大级被包括在电荷泵中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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