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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010359712.8，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权三维半导体器件是由吴承河;姜泌圭;金国桓;金元洪;佐佐木雄一朗;李相遇;林圣根;河龙湖;玄尚镇设计研发完成，并于2020-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维半导体器件在说明书摘要公布了：一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源漏极图案。上栅电极包括硅锗SiGe。

本发明授权三维半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件，包括： 下衬底； 设置在所述下衬底上的多个下晶体管； 设置在所述下晶体管上的上衬底； 设置在所述下晶体管与所述上衬底之间的多个下导电线路； 设置在所述上衬底上的多个上晶体管； 设置在所述上晶体管上的多个上导电线路；以及 穿透所述上衬底的上穿透过孔， 其中，至少一个所述下晶体管连接到对应的所述下导电线路，并且至少一个所述上晶体管连接到对应的所述上导电线路， 其中，每一个所述上晶体管包括： 设置在所述上衬底上的上栅电极； 在所述上栅电极的第一侧设置在所述上衬底中的第一上源漏极图案；以及 在所述上栅电极的相对的第二侧设置在所述上衬底中的第二上源漏极图案， 其中，每一个所述下晶体管包括： 设置在所述下衬底上的下栅电极； 在所述下栅电极的第一侧设置在所述下衬底中的第一下源漏极图案；以及 在所述下栅电极的相对的第二侧设置在所述下衬底中的第二下源漏极图案， 其中，所述上栅电极包括多晶硅锗，并且所述下栅电极包括多晶硅或多晶锗，并且 其中，至少一个所述下晶体管的一个端子通过对应的所述下导电线路、所述上穿透过孔、以及对应的所述上导电线路电连接到至少一个所述上晶体管的一个端子。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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