三星电子株式会社朴庆宰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利掩模设计方法和利用其制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112241103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010674085.7，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩模设计方法和利用其制造半导体装置的方法是由朴庆宰;申武俊;朴钟秀设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模设计方法和利用其制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法包括步骤：形成包括第一重复图案的下部结构；以及形成上部结构，该步骤包括形成第二重复图案以与所述下部结构上的所述第一重复图案中的每一个相对应，并且形成第二重复图案的步骤包括：准备用于所述第二重复图案的设计布局；通过对所述设计布局执行光学邻近校正OPC来形成包括校正后的第二重复图案的第一校正布局；通过对所述第一校正布局执行位置校正以移动所述校正后的第二重复图案的位置以与根据所述下部结构的物理变形的所述第一重复图案的改变后的位置相对应，来形成第二校正布局；使用所述第二校正布局来制造掩模；以及使用所述掩模来图案化光致抗蚀剂层。
本发明授权掩模设计方法和利用其制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成包括第一重复图案的下部结构；以及 形成上部结构，形成上部结构包括形成第二重复图案以与所述下部结构上的所述第一重复图案中的每一个相对应， 其中，形成第二重复图案包括： 准备用于所述第二重复图案的设计布局； 通过对所述设计布局执行光学邻近校正来形成包括校正后的第二重复图案的第一校正布局； 通过对所述第一校正布局执行位置校正以移动所述校正后的第二重复图案的位置以与根据所述下部结构的物理变形的所述第一重复图案的改变后的位置相对应，来形成第二校正布局； 使用所述第二校正布局来制造掩模；以及 使用所述掩模来图案化光致抗蚀剂层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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