英飞凌科技股份有限公司H-J.舒尔策获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216601B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010662122.2，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权半导体器件的制造方法以及半导体器件是由H-J.舒尔策;J.P.孔拉特;A.R.施特格纳;H.施特拉克设计研发完成，并于2020-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：提出了一种制造半导体器件的方法。提供碳化硅SiC半导体本体102。通过至少一个离子注入工艺经由SiC半导体本体102的第一表面108将离子引入到SiC半导体本体102中。此后，在SiC半导体本体102的第一表面108上形成SiC器件层110。在SiC器件层110中或之上形成半导体器件元件。
本发明授权半导体器件的制造方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 提供碳化硅SiC半导体本体102； 在SiC半导体本体102之上形成SiC器件层110； 通过至少一个离子注入工艺经由所述SiC器件层110的第一表面108将离子引入到所述SiC器件层110中，其中，所述SiC器件层110中的漂移区118的竖直延伸的主要部分被布置在所述离子的范围端峰P与所述SiC器件层110的所述第一表面108之间；并且此后 在所述SiC器件层110中或之上形成半导体器件元件， 其中通过经由第一表面108的所述至少一个离子注入工艺来在漂移区118和半导体器件的后侧接触部之间形成场停止区。
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