三星电子株式会社赵源锡获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010249947.1，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权垂直存储器装置是由赵源锡设计研发完成，并于2020-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括设置在基底上并且在竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道在竖直方向上延伸并且与栅电极相邻地定位。隧道绝缘图案设置在沟道的外侧壁的与栅电极中的每个相邻的部分上。电荷俘获图案结构设置在隧道绝缘图案与栅电极中的每个之间。电荷俘获图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上电荷俘获图案和下电荷俘获图案。阻挡图案结构位于电荷俘获图案结构与栅电极中的每个之间。沟道的与隧道绝缘图案相邻的第一部分在水平方向上具有比沟道的其它部分的厚度小的厚度。
本发明授权垂直存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括： 栅电极，设置在基底上并且在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上彼此间隔开； 沟道，在竖直方向上延伸并且与栅电极相邻地定位； 隧道绝缘图案，设置在沟道的外侧壁的部分上，沟道的外侧壁的所述部分与栅电极中的每个相邻； 电荷俘获图案结构，设置在栅电极中的每个与隧道绝缘图案之间，电荷俘获图案结构中的每个包括在竖直方向上彼此间隔开的上电荷俘获图案和下电荷俘获图案；以及 阻挡图案结构，设置在栅电极中的每个与电荷俘获图案结构之间， 其中，沟道的在与基底的上表面基本上平行的水平方向上与隧道绝缘图案相邻的第一部分在水平方向上具有比沟道的在水平方向上不与隧道绝缘图案相邻的其它部分在水平方向上的厚度小的厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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