英飞凌科技股份有限公司H-J.舒尔策获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112017954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010466379.0，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法是由H-J.舒尔策;R.埃斯特韦;M.耶利内克;C.莱恩德茨;W.舒斯特雷德设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法。提供了一种碳化硅衬底700，其包括第一导电类型的漂移层730和从碳化硅衬底700的主表面701延伸到漂移层730中的沟槽770。将第一掺杂剂注入通过沟槽770的第一沟槽侧壁771。第一掺杂剂具有第二导电类型，并且被以第一注入角度注入到碳化硅衬底700中，其中在第一注入角度下发生沟道效应。第一掺杂剂形成平行于第一沟槽侧壁771延伸的第一补偿层181。
本发明授权具有补偿区的碳化硅器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造碳化硅器件的方法，包括： 提供碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一导电类型的漂移层和从碳化硅衬底的主表面延伸到漂移层中的沟槽； 将第一掺杂剂注入通过沟槽的第一沟槽侧壁，其中： 第一掺杂剂具有第二导电类型并且被以第一注入角度注入到碳化硅衬底中； 在碳化硅衬底中在第一注入角度下发生沟道效应；并且 第一掺杂剂形成平行于第一沟槽侧壁延伸的第一补偿层；以及 外延层在主表面上， 将进一步的第一掺杂剂注入通过主表面上的外延层中的进一步的沟槽的进一步的第一侧壁，以在外延层中形成第一补偿层的补偿层延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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