三星电子株式会社郑秀珍获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010200281.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件是由郑秀珍;金奇奂;张星旭;曹荣大设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括凹槽，所述凹槽具有“V”形；位于所述凹槽上的生长阻止图案；位于所述有源图案的在所述凹槽的相对侧的部分上的栅极结构；在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的沟道，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构之一；以及位于所述生长阻止图案上的源漏层，所述源漏层接触所述沟道。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 位于衬底上的有源图案，所述有源图案包括凹槽，所述凹槽具有“V”形； 位于所述凹槽上的生长阻止图案； 位于所述有源图案的在所述凹槽的相对侧的部分上的栅极结构； 在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开的沟道，每个所述沟道延伸穿过所述栅极结构之一；以及 位于所述生长阻止图案上的源漏层，所述源漏层接触所述沟道， 其中，所述生长阻止图案的顶表面不高于所述栅极结构的底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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