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龙图腾网获悉马维尔亚洲私人有限公司申请的专利用于太阳能和数据存储的两用半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111599804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010108971.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权用于太阳能和数据存储的两用半导体器件是由V·阿西瓦;S·V·罗特拉;N·N·库德;B·H·莱姆设计研发完成，并于2020-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于太阳能和数据存储的两用半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及用于太阳能和数据存储的两用半导体器件。本公开描述了用于太阳能和数据存储的两用半导体器件的各方面。在一些方面，两用半导体器件被选择性地配置为通过耦合具有相同掺杂类型的区域以形成PN结来生成功率，该PN结通过响应于光而生成功率。所生成的功率可以被提供给耦合到两用半导体器件的触点例如，前触点和后侧触点的负载。通过将相同掺杂类型的区域解耦以提供相的数据存储访问端子以用于通过两用半导体器件的浮栅结构访问例如，写入或读取作为电荷水平存储的位值。通过这样做，利用两用半导体器件实现的太阳能阵列也可以提供数据存储功能。

本发明授权用于太阳能和数据存储的两用半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括： 通过经由两用半导体器件的第一开关器件将具有相同掺杂类型的所述两用半导体器件的第一区域和第二区域耦合以形成PN结，来选择性地配置所述两用半导体器件以生成功率，所述PN结包括具有所述相同掺杂类型的所述第一区域和所述第二区域以及具有不同掺杂类型的所述两用半导体器件的衬底； 经由所述两用半导体器件的第二开关器件，将阱上的第一触点或所述PN结的所述第一区域或所述第二区域中的一个区域上的第二触点耦合到所述两用半导体器件的两个功率触点中的一个功率触点； 利用所述PN结，基于由包括具有所述相同掺杂类型的所述第一区域和所述第二区域以及具有所述不同掺杂类型的衬底的所述PN结接收的光来生成功率； 响应于生成所述功率，将所述功率提供给耦合至所述两用半导体器件的所述两个功率触点的负载； 通过经由所述第一开关器件将具有所述相同掺杂类型的所述两用半导体器件的所述第一区域和所述第二区域解耦，以经由具有所述相同掺杂类型的所解耦的所述第一区域和所述第二区域来提供相应数据存储访问端子，来选择性地将所述两用半导体器件配置为用于数据存储访问； 经由所述两用半导体器件的所述第二开关器件将所述阱上的所述第一触点或所述第一区域或所述第二区域中的一个区域上的所述第二触点从所述两用半导体器件的所述两个功率触点中的一个功率触点解耦；和 经由所述两用半导体器件的浮栅结构的控制栅极和相应数据存储访问端子中的至少一个数据存储访问端子，访问所述两用半导体器件，以将数据写入所述两用半导体器件或从所述两用半导体器件读取数据，所述浮栅结构形成在所述两用半导体器件的所述衬底上，并且具有通过第一绝缘材料层与所述浮栅结构的所述控制栅极隔离并通过第二绝缘材料层与所述衬底隔离的浮栅。

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