英特尔公司B.楚-孔获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利减少半导体器件中的带到带隧穿获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111108603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780095386.0，技术领域涉及：H10D30/00；该发明授权减少半导体器件中的带到带隧穿是由B.楚-孔;J.T.卡瓦利罗斯;成承训;S.舒克西;H.W.肯内尔;D.巴苏;A.阿拉瓦尔;G.A.格拉斯;T.贾尼;A.S.默西设计研发完成，并于2017-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少半导体器件中的带到带隧穿在说明书摘要公布了：公开了集成电路晶体管结构，其减少在晶体管的沟道区与源极漏极区之间的带到带隧穿，而没有不利地增大器件的非本征电阻。在示例性实施例中，所述结构包括一个或多个间隔物，所述间隔物被配置成将源极和或漏极与沟道区分离。所述多个间隔物的区包括如下半导体材料：所述半导体材料为PMOS器件提供相对高的导带偏移CBO以及相对低的价带偏移VBO，并且为NMOS器件提供相对高的VBO和相对低的CBO。在一些情况中，所述间隔物包括硅、锗和碳例如对于具有锗沟道的器件而言。所述比例可以是按原子百分比的至少10%的硅、按原子百分比的至少85%的锗，以及按原子百分比的至少1%的碳。其它实施例利用III‑V材料来被实现。
本发明授权减少半导体器件中的带到带隧穿在权利要求书中公布了：1.一种集成电路晶体管结构，包括： 包括第一半导体材料的主体，所述第一半导体材料具有第一带隙； 至少在所述主体上方的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质和栅极电极，所述栅极电介质在所述主体和栅极电极之间； 源极区和漏极区，所述主体在所述源极区和漏极区之间；以及 在所述主体与所述源极区或漏极区中之一之间的间隔物，所述间隔物在所述栅极电极和栅极电介质中之一或两者下方延伸，所述间隔物包括第二半导体材料，所述第二半导体材料具有比所述第一带隙更大的第二带隙； 其中所述第二半导体材料提供0.1eV或相对于所述第一半导体材料更高的导带偏移CBO，以及相对于所述第一半导体材料的在-0.05eV到0.05eV的范围中的价带偏移VBO。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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