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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828289B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810906812.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备，该方法包括补偿设定、氮化硅沉积、自动去膜、逆补偿计算的S1‑S4四个步骤，通过优化改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的设备及操作流程，也即在氮化硅沉积炉管机台自动去膜过程中，通过优化批次控制装置，使得氮化硅沉积炉管机台内的晶圆在沉积栅极导电层保护层时候，能够保证栅极导电层保护层膜厚稳定，从而能够保证晶圆产品良率。

本发明授权改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供一种改善栅极导电层保护层膜厚稳定性的设备，所述设备包括氮化硅沉积炉管机台、自动去膜驱动装置、批次控制装置及膜厚设定装置，所述氮化硅沉积炉管机台用于制作栅极导电层沉积保护层的制程；所述自动去膜驱动装置连接所述氮化硅沉积炉管机台，用于驱动所述氮化硅沉积炉管机台，以执行所述氮化硅沉积炉管机台内部件上积累的薄膜的自动去除；所述批次控制装置中设有预设值处理单元和补偿值处理单元，所述预设值处理单元用于设定所处理批次的预设参数值default；所述补偿值处理单元用于设定所处理批次的记数补偿值；所述记数补偿值匹配于同一个自动去膜周期中在未使用所述批次控制装置时所对应批次和前一批次的膜厚偏差值Offset1st～2nd，所述记数补偿值对应所述处理批次的批次次序补偿修正所述预设参数值default；所述膜厚设定装置用来收集每个所述氮化硅沉积炉管机台在一个自动去膜周期内各个制程沉积的薄膜的厚度并设定膜厚目标值；S1步骤包括：向所述氮化硅沉积炉管机台载入装有晶圆的晶舟；开启所述批次控制装置；设置所述批次控制装置内所述预设值处理单元中膜厚目标值； S2、经由所述批次控制装置驱动所述氮化硅沉积炉管机台，以进行氮化硅沉积工艺，包括进行第一批次处理，第一批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为C1；进行第二批次处理，第二批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为C2；直到进行第n批次处理，第n批次处理结束后所述膜厚设定装置检测到的膜厚值为Cn； S3、当所述第n批次处理后检测到的膜厚值到达所述膜厚目标值，自动激活所述自动去膜驱动装置内的触发组件，令所述氮化硅沉积炉管机台开始自动去膜；当自动去膜结束后，自动触发所述自动去膜驱动装置内停止组件，以关闭所述氮化硅沉积炉管机台的自动去膜操作，同时使批次计数值自动归零，并使所述自动去膜驱动装置将自动去膜信息反馈给所述批次控制装置，以进行步骤S2的第一批处理； S4、所述批次控制装置内的所述补偿值处理单元将通过步骤S3收集到的数据进行处理，将前后批次处理后膜厚的差值D1、D2、D3……Dn换算成连续运行补偿值fx并调用步骤S2所对应批次在次序补偿修正后的所述预设参数值为当批次处理的预设参数值，其中x＝1，1，2，3，4……n-1，n为正整数，当所述氮化硅沉积炉管机台处理到第二批次或第二批次后不同批次时自动加减相应的所述连续运行补偿值fx与当批次处理的预设参数值，以进行步骤S2的第二批次或者第二批次后处理。

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