佛山耐镭特光电技术有限公司李文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山耐镭特光电技术有限公司申请的专利GaN基多光区LED芯片及照明灯具获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223540881U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422989516.5，技术领域涉及：H10H20/813；该实用新型GaN基多光区LED芯片及照明灯具是由李文杰设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN基多光区LED芯片及照明灯具在说明书摘要公布了：本实用新型公开了GaN基多光区LED芯片及照明灯具，该GaN基多光区LED芯片包括：衬底以及设置在衬底上的GaN基发光体；GaN基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，环形隔离槽贯穿GaN基发光体的上表面及下表面，在环形隔离槽开设有若干个时，多个环形隔离槽在衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设；其中，GaN基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束，因此，可通过点亮不同的子发光区域进行光束变换，实现了通过一个GaN基多光区LED芯片进行光束变换，结构简单，使得照明灯具的成本降低，且照明灯具的体积及重量变小。
本实用新型GaN基多光区LED芯片及照明灯具在权利要求书中公布了：1.一种GaN基多光区LED芯片，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的GaN基发光体； 所述GaN基发光体上至少开设有一个环形隔离槽，所述环形隔离槽贯穿所述GaN基发光体的上表面及下表面，在所述环形隔离槽开设有若干个时，多个所述环形隔离槽在所述衬底上的正投影的轮廓逐渐减小、且自内向外依次套设开设； 其中，所述GaN基发光体上任一环形隔离槽的槽壁相邻的区域为一个子发光区域，且每一子发光区域被点亮时对应出射一个角度的光束。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佛山耐镭特光电技术有限公司，其通讯地址为：528251 广东省佛山市南海区桂城街道科睿路18号半导体产业园1栋车间楼401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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