深圳吉华微特电子有限公司张熠鑫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳吉华微特电子有限公司申请的专利一种超结芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223540865U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423068586.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种超结芯片结构是由张熠鑫;王大明;宋炟;张雨欣;贾国设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种超结芯片结构。本实用新型的超结芯片结构中，在光刻区边缘的第一划线区和第二划线区上分别设置第一应力释放槽和第二应力释放槽，第一应力释放槽沿第一方向的延伸长度为光刻单元在第一方向上的尺寸的四分之一至五分之三，第二应力释放槽在第二方向上的延伸长度为构成光刻区的光刻单元在第二方向上的尺寸的四分之一至五分之三。可以有效释放超结芯片的制造过程中产生的应力，提高产品良率，改善芯片制造的对准效果，从而提升超结结构的电荷平衡效果，同时维持超结芯片的整体强度。
本实用新型一种超结芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种超结芯片结构，其特征在于，超结芯片包括： 多个沿第一方向延伸的、带状的第一划线区，多个所述第一划线区沿第二方向排列设置； 多个沿所述第二方向延伸的、带状的第二划线区，多个所述第二划线区沿所述第一方向排列设置；所述第一方向垂直于所述第二方向；以及， 多个由所述第一划线区和所述第二划线区界定的光刻单元，至少两个所述光刻单元构成一个光刻区，所述光刻区至少为一个，所述光刻单元用于形成目标器件；每个所述光刻区相对两侧的第一划线区均设有第一应力释放槽；每个所述光刻区相对两侧的第二划线区均设有第二应力释放槽； 其中，所述第一应力释放槽在所述第一方向上的延伸长度为所述光刻单元在所述第一方向上的尺寸的四分之一至五分之三，所述第二应力释放槽在所述第二方向上的延伸长度为所述光刻单元在所述第二方向上的尺寸的四分之一至五分之三。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳吉华微特电子有限公司，其通讯地址为：518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区黄阁北路449号天安数码创新园二号厂房B804-2；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励