杰华特微电子股份有限公司陈斌获国家专利权
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龙图腾网获悉杰华特微电子股份有限公司申请的专利一种高压隔离电容获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223540864U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422835447.2，技术领域涉及：H10D1/68；该实用新型一种高压隔离电容是由陈斌;陆阳设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压隔离电容在说明书摘要公布了：本实用新型提出一种高压隔离电容，其中，高压器件区包括下级板、上级板以及上下极板之间的至少一层中间介质层，隔离环区包括金属导电层，还包括第一耐压介质层和第二耐压介质层，第一耐压介质层淀积在顶层的中间介质层上，上级板和金属导电层淀积在顶层的第一耐压介质层上，第二耐压介质层淀积在上级板和金属导电层和第一耐压介质层上；隔断槽，设置在上级板和所述金属导电层之间且与上级板间隔设置，使耐压介质层形成的界面态在隔断槽处断开。本实用新型提出的高压隔离电容通过增设高介电常数的耐压介质层降低上级板角落处的电场，还通过设置隔断槽阻断金属导电层和上级板之间形成的耐压介质层的界面态，以提高高压隔离电容的耐压性能。
本实用新型一种高压隔离电容在权利要求书中公布了：1.一种高压隔离电容，包括高压器件区和隔离环区，其特征在于，所述高压器件区包括下级板、上级板以及上下极板之间的至少一层中间介质层，所述隔离环区包括金属导电层，还包括： 第一耐压介质层和第二耐压介质层，所述第一耐压介质层和所述第二耐压介质层的介电常数大于所述中间介质层的介电常数， 所述第一耐压介质层淀积在顶层的所述中间介质层上，所述上级板和所述金属导电层淀积在所述第一耐压介质层上，所述上级板和所述金属导电层间隔设置，所述第二耐压介质层淀积在所述上级板和所述金属导电层和所述第一耐压介质层上， 隔断槽，设置在所述上级板和所述金属导电层之间且与所述上级板间隔设置，使堆叠的所述第一耐压介质层和所述第二耐压介质层在所述隔断槽处断开。
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