苏州华太电子技术股份有限公司岳丹诚获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种沟槽结型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120769543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511265108.8，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种沟槽结型场效应晶体管及其制备方法是由岳丹诚设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽结型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种沟槽结型场效应晶体管及其制备方法。沟槽结型场效应晶体管包括：多个沿横向间隔设置在外延层中的阶梯型沟槽，所述阶梯型沟槽的包括相接的上方沟槽和下方沟槽，上方沟槽孔径大于下方沟槽；其中，相邻阶梯型沟槽之间形成凸起部；第二掺杂类型的源区，设置在所述凸起部的顶部区域，且所述源区的底面高于所述下方沟槽的顶面；第一掺杂类型的栅区，形成在所述下方沟槽的槽壁内。本申请解决了传统的沟槽结型场效应晶体管因栅极从侧壁延伸到沟槽的表面导致开关损耗较大的技术问题。
本发明授权一种沟槽结型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽结型场效应晶体管，其特征在于，包括： 第二掺杂类型的衬底3； 第二掺杂类型的外延层，形成在所述衬底3之上； 多个沿横向间隔设置在外延层中的阶梯型沟槽，所述阶梯型沟槽的包括相接的上方沟槽和下方沟槽，上方沟槽孔径大于下方沟槽；其中，相邻阶梯型沟槽之间形成凸起部； 第二掺杂类型的源区4，设置在所述凸起部的顶部区域，且所述源区4的底面高于所述下方沟槽的顶面； 第一掺杂类型的栅区6，形成在所述下方沟槽的槽壁内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区星湖街328号创意产业园10-1F；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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