广东芯粤能半导体有限公司张洪月获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120692895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511158946.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由张洪月;相奇;陈骁;罗幸君;杨俊;朱普磊设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底、漂移区、网状屏蔽掺杂层及沟槽栅结构，漂移区位于半导体衬底上，包括外延层；网状屏蔽掺杂层位于外延层中，网状屏蔽掺杂层包括交叉连接的第一部及第二部，其中，第一部在第一方向上均匀间隔设置且沿第二方向延伸，第二部在第二方向上均匀间隔设置且沿第一方向延伸，第一方向与第二方向相交；沟槽栅结构位于外延层中，其中，沟槽栅结构位于相邻第一部之间，沟槽栅结构在第二方向上跨越多个第二部，且沟槽栅结构的深度小于网状屏蔽掺杂层的深度。本申请的半导体结构及其制备方法有效缓解了沟槽栅结构底部的电场分布，提升了器件可靠性，降低了生成成本。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一导电类型的半导体衬底； 漂移区，位于所述半导体衬底上，包括第一导电类型的外延层； 第二导电类型的网状屏蔽掺杂层，位于所述外延层中，所述网状屏蔽掺杂层包括交叉连接的第一部及第二部，其中，所述第一部在第一方向上均匀间隔设置且沿第二方向延伸，所述第二部在所述第二方向上均匀间隔设置且沿所述第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交，所述第一部的深度与所述第二部的深度相同，所述第一部的宽度大于所述第二部的宽度； 沟槽栅结构，位于所述外延层中，其中，所述沟槽栅结构位于相邻所述第一部之间，所述沟槽栅结构在第二方向上跨越多个所述第二部，且沟槽栅结构的深度小于所述网状屏蔽掺杂层的深度； 所述半导体结构还包括第一金属层，所述第一金属层覆盖于所述第一部和或所述第二部上。
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