晶科能源(海宁)有限公司李娴获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511062050.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件是由李娴;刘枫;张远方;王钊;郑霈霆;杨洁;张昕宇;张成兰设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及光伏组件技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件，太阳能电池的制备方法包括：对硅基底进行双面制绒；对硅基底进行硼扩，在硅基底的正面和背面均生成硼扩散层和硼硅玻璃层；硅基底的正面具有第一接触区和第一非接触区，激光去除第一非接触区的硼硅玻璃层和硼扩散层。其中，在对硅基底进行硼扩时，通过在硼扩工艺中通入湿氧与干氧，并控制湿氧与干氧的比值，从而能够控制生成的硼硅玻璃层的致密度，以使制得的硼硅玻璃层的致密度较小，从而能够降低激光在去除硼硅玻璃层时所需的能量密度，以降低激光在工作时对硅基底或其他区域造成的热损伤，进而能够提升太阳能电池的制备质量和制备过程中的经济性。
本发明授权一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池1的制备方法包括： 对硅基底11进行双面制绒； 对所述硅基底11进行硼扩，在所述硅基底11的正面和背面均生成硼扩散层111和硼硅玻璃层112； 所述硅基底11的正面具有第一接触区113和第一非接触区114，激光去除所述第一非接触区114的所述硼硅玻璃层112和所述硼扩散层111； 其中，在对所述硅基底11进行硼扩时，通入湿氧与干氧，且所述湿氧与所述干氧的比值ω满足0%＜ω≤20%；所述硼硅玻璃层112的致密度ρ1满足1.32gcm3＜ρ1≤2.65gcm3。
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