通威微电子有限公司徐红立获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料及其合成方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120518079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511022675.0，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料及其合成方法和应用是由徐红立;郑鉴唯;杨市礼设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料及其合成方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料及其合成方法和应用，涉及半导体技术领域。将硅单质和碳单质在真空环境下反应，制得碳化硅粉料；本发明通过调整硅单质粒径、碳单质粒径、碳单质密度以及碳硅摩尔比，可以实现高效控制碳化硅粉料粒径为碳单质粒径的4倍‑6倍；本发明的合成方法制备过程简单，且制得的碳化硅粉料纯度高，弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小不可控的不足，该方法所用装置简单、合成效率高、适合大规模工业生产。
本发明授权一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料及其合成方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长用粒径可控碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤： 将硅单质和碳单质在真空环境下反应，制得碳化硅粉料； 其中，真空度为1×10-2torr至1×102torr；所述硅单质的粒径≤200μm，所述碳单质的粒径为200μm-2000μm；所述碳单质的密度为0.35gcm3-1gcm3；所述硅单质和所述碳单质的摩尔比为1.05-1.1：1； 制得的所述碳化硅粉料的粒径为所用碳单质粒径的4倍-6倍； 制备所述碳化硅粉料的温度为1800℃-2400℃，时间为5h-30h。
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