通威微电子有限公司邹静获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮及SiC减薄方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120190770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510590325.8,技术领域涉及:B24D18/00;该发明授权SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮及SiC减薄方法是由邹静设计研发完成,并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮及SiC减薄方法在说明书摘要公布了:本发明公开了SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮及SiC减薄方法,所述SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮包括外层本体和设置在所述外层本体内部的填充腔,所述填充腔内填充有微球。本申请在SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮的外层本体内填充有微球,在磨削过程中随着温度的升高,微球也会受热膨胀,且微球之间相互挤压、滑动,能够动态填充在填充腔内以缓冲、分散局部应力,有利于减小接触压力波动。
本发明授权SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮及SiC减薄方法在权利要求书中公布了:1.一种SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮,其特征在于,所述SiC减薄用多孔金属结合剂金刚石砂轮包括外层本体和设置在所述外层本体内部的填充腔,所述填充腔内填充有微球,所述微球的热膨胀系数是所述外层本体热膨胀系数的2-3倍; 在磨削过程中随着温度的升高,微球受热膨胀,微球之间会相互挤压、滑动,能够动态填充在填充腔内以缓冲、分散局部应力。
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