东京毅力科创株式会社上坂友佑人获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置、电源系统和控制生成源频率的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120188575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202380077844.3,技术领域涉及:H05H1/46;该发明授权等离子体处理装置、电源系统和控制生成源频率的方法是由上坂友佑人设计研发完成,并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置、电源系统和控制生成源频率的方法在说明书摘要公布了:在本发明的等离子体处理装置中,偏置电源向基片支承部供给具有波形周期的电偏置。高频电源将频率调节周期内的生成源高频电功率的生成源频率的时间序列设定为第一特定相位处的最大频率、第二特定相位处的最小频率、和包括第一特定相位和第二特定相位的至少两个特定相位以外的相位处的插值得到的频率。频率调节周期与波形周期之间的相位差被设定为抑制生成源高频电功率的反射的程度。高频电源在频率调节周期内的生成源频率的时间序列中使第一特定相位处的最大频率和第二特定相位处的最小频率彼此在相反的方向上变化,以抑制生成源高频电功率的反射的程度。
本发明授权等离子体处理装置、电源系统和控制生成源频率的方法在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括: 腔室; 设置在所述腔室内的基片支承部; 高频电源,其构成为能够生成具有生成源频率的生成源高频电功率以在所述腔室内从气体生成等离子体;和 偏置电源,其构成为能够向所述基片支承部供给电偏置以从所述腔室内的等离子体吸引离子,该电偏置具有波形周期, 所述高频电源构成为,能够将具有与所述波形周期的时间长度相同的时间长度的频率调节周期内的所述生成源频率的时间序列设定为第一特定相位处的最大频率、第二特定相位处的最小频率和除了包括第一特定相位和第二特定相位的至少两个特定相位以外的相位处的进行插值得到的频率, 所述高频电源和所述偏置电源构成为,能够设定所述频率调节周期与所述波形周期之间的相位差,以抑制所述生成源高频电功率的反射的程度,其中,在所述频率调节周期,能够按照指定所述至少两个特定相位处的初始的生成源频率的初始频率组改变所述生成源频率, 所述高频电源构成为,能够在所述相位差的设定后,在所述频率调节周期内的所述生成源频率的所述时间序列中,一边使所述第一特定相位处的所述最大频率和所述第二特定相位处的所述最小频率彼此在相反方向上变化,一边确定抑制所述生成源高频电功率的反射的程度的所述第一特定相位处的所述生成源频率和所述第二特定相位处的所述生成源频率。
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