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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利超表面吸收器及其阵列、非线性电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510520159.4，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权超表面吸收器及其阵列、非线性电路是由文品;秦锴;彭宇林;刘佛祥;文伟峰设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超表面吸收器及其阵列、非线性电路在说明书摘要公布了：本申请提供一种超表面吸收器及其阵列、非线性电路，超表面吸收器包括介质基板，其设置有：第一金属片，设置于介质基板的第一表面，第一金属片的边缘与第一表面的边缘重合；第二金属片，设置于介质基板的第二表面，第二金属片的相对设置的两个边缘与第二表面的相应边缘非重合，第二金属片的剩余边缘与第二表面的剩余边缘重合；其中，第二金属片上设置有集总端口，以使得第二金属片被划分成关于集总端口对称设置的两个子金属片，且集总端口从相对设置的两个边缘中一个边缘延伸到另一个边缘；每个子金属片上设置有矩形槽，其中，两个子金属片上的两个矩形槽关于集总端口对称设置。本申请实现双频波形选择的超表面吸收器，具有小频比的特点。

本发明授权超表面吸收器及其阵列、非线性电路在权利要求书中公布了：1.一种超表面吸收器，其特征在于，包括介质基板，所述介质基板上设置有： 第一金属片，设置于所述介质基板的第一表面，所述第一金属片的边缘与所述第一表面的边缘重合； 第二金属片，设置于所述介质基板的第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对设置，所述第二金属片的相对设置的两个边缘与所述第二表面的相应边缘非重合，所述第二金属片的剩余边缘与所述第二表面的剩余边缘重合； 其中，所述第二金属片上设置有集总端口，以使得所述第二金属片被划分成关于所述集总端口对称设置的两个子金属片，且所述集总端口从相对设置的所述两个边缘中一个边缘延伸到另一个边缘； 每个所述子金属片上设置有矩形槽，其中，所述两个子金属片上的两个所述矩形槽关于所述集总端口对称设置; 所述第二金属片上设置有端口槽，以用作所述集总端口，所述端口槽从相对设置的所述两个边缘中一个边缘延伸到另一个边缘； 所述矩形槽的长度方向与所述端口槽的延伸方向一致，且所述矩形槽的宽度小于所述端口槽的宽度； 在所述超表面吸收器被激励时，所述第二金属片产生第一谐振频率和第二谐振频率，两个所述矩形槽用于改变第二谐振频率的电场分布，增加第二谐振频率的电流流动路径。

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