重庆大学辛仁龙获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种多晶材料界面取向的表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120028364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510326758.2，技术领域涉及：G01N23/2251；该发明授权一种多晶材料界面取向的表征方法是由辛仁龙;谭川;兰晓伟设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶材料界面取向的表征方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶材料界面取向的表征方法，属于晶体学及材料表征技术领域。该方法通过利用聚焦离子束在目标界面沉积保护层后实施刻蚀，并采集样品表面与刻蚀面扫描图像，测量样品表面和刻蚀面上界面迹线与样品坐标系的夹角。对其中一面测得的夹角进行人工倾斜校正后，利用样品表面和刻蚀面上迹线方向向量的外积计算得到界面法向。该方法无需对样品进行多次旋转，仅凭单次扫描即可获取全部所需数据，从而大幅提高了表征效率，适用于大规模自动化界面取向测量，为多晶材料微观机理的研究提供了有力技术支撑。
本发明授权一种多晶材料界面取向的表征方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶材料界面取向的表征方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在表面光洁的多晶样品表面上建立样品坐标系X-Y-Z；并使Z轴垂直于样品表面，X轴和Y轴平行于样品表面且相互垂直； 2将样品置于双束聚焦离子束-扫描电子显微镜中，旋转电镜样品台使样品表面垂直于聚焦离子束，利用聚焦离子束在目标界面对应的样品表面部分依次进行沉积保护层和刻蚀，形成垂直于样品表面的刻蚀面； 3使用电子束同时对样品表面与刻蚀面进行扫描成像，并根据扫描图像，测量目标界面在样品表面上的界面迹线与X轴夹角α及目标界面在刻蚀面上的界面迹线与Z轴夹角β'，并对β'进行倾斜矫正得到矫正后的夹角β； 4根据α和β分别计算目标界面在样品表面上的界面迹线的方向向量v1和目标界面在刻蚀面上的界面迹线的方向向量v2，v1和v2的外积即为样品坐标系下目标界面法向向量n，由此完成多晶材料界面取向的表征。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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