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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411883603.0，技术领域涉及：H01S5/062；该发明授权超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备是由牛跃颖;陆丹;郭菲;张瑞康;周代兵设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备，涉及半导体光电子集成器件技术领域，超短光脉冲源芯片包括：电吸收调制激光器110、相位调制器120、光脉冲压缩组件130和基片140，相位调制器120分别与电吸收调制激光器110和光脉冲压缩组件130连接，电吸收调制激光器110、相位调制器120与光脉冲压缩组件130置于基片140的同一侧，其中，电吸收调制激光器110，用于产生初级光脉冲；相位调制器120，用于在初级光脉冲中引入啁啾，得到第二光脉冲；光脉冲压缩组件130，用于对第二光脉冲进行压缩和功率放大，得到目标光脉冲。本发明可以得到单片集成、体积小的超短光脉冲源芯片，并利用超短光脉冲源芯片生成高质量的超短光脉冲。

本发明授权超短光脉冲源芯片和超短光脉冲源设备在权利要求书中公布了：1.一种超短光脉冲源芯片，其特征在于，包括：电吸收调制激光器110、相位调制器120、光脉冲压缩组件130和基片140，所述相位调制器120分别与所述电吸收调制激光器110和所述光脉冲压缩组件130连接，所述电吸收调制激光器110、所述相位调制器120与所述光脉冲压缩组件130置于所述基片140的同一侧，其中， 所述电吸收调制激光器110，用于产生初级光脉冲； 所述相位调制器120，用于在所述初级光脉冲中引入啁啾，得到第二光脉冲； 所述光脉冲压缩组件130，用于对所述第二光脉冲进行压缩和功率放大，得到目标光脉冲； 其中，所述光脉冲压缩组件130包括：啁啾布拉格光栅和第二光放大器，所述啁啾布拉格光栅分别与所述相位调制器120和所述第二光放大器连接；所述啁啾布拉格光栅，用于对所述第二光脉冲进行压缩，得到第三光脉冲；所述第二光放大器，用于对所述第三光脉冲进行功率放大，得到所述目标光脉冲。

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