普冉半导体(上海)股份有限公司高会阁获国家专利权
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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119759276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411832064.8，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质是由高会阁设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质，涉及非易失性存储器技术领域。非易失性存储器的存储阵列中包括多个区块，各区块包括多个数据块，通过对非易失性存储器中选定的目标区块的待擦除数据块进行过擦除操作，并记录完成过擦除操作的擦除总次数，根据擦除总次数，确定出目标区块需要进行修复的修复区间值；擦除总次数表征区块受到干扰的程度，擦除总次数越大，区块受到干扰的程度越大，修复区间值则越大；根据修复区间值，从目标区块中选取出需要修复的目标修复区域，并对目标修复区域进行修复操作。从而可以根据区块受到干扰的程度，对区块进行修复，进而提升擦除效率。
本发明授权非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器擦除方法，其特征在于，非易失性存储器的存储阵列中包括多个区块，各所述区块包括多个数据块，所述方法包括： 对非易失性存储器中选定的目标区块的待擦除数据块进行过擦除操作，并记录完成所述过擦除操作的擦除总次数； 根据所述擦除总次数，确定出所述目标区块需要进行修复的修复区间值；所述擦除总次数表征所述区块受到干扰的程度，所述擦除总次数越大，所述区块受到干扰的程度越大，所述修复区间值则越大； 根据所述修复区间值，从所述目标区块中选取出需要修复的目标修复区域，并对所述目标修复区域进行修复操作；所述目标修复区域的大小为所述修复区间值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人普冉半导体(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201000 上海市浦东新区申江路5005弄1号9层整层(实际楼层8楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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