北京超弦存储器研究院王海玲获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311033155.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王海玲;王祥升;宋艳鹏;刘晓萌;赵超;王桂磊设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括沿衬底的厚度方向依次交替叠置的牺牲部及初始半导体柱，牺牲部与衬底相邻；采用第一预设工艺，去除牺牲部，初始半导体柱中沿第一方向延伸的外表面形成界面层，剩余的初始半导体柱用于形成中间半导体柱；采用第二预设工艺，去除界面层及部分中间半导体柱所构成的腐蚀层；其中，剩余的中间半导体柱用于形成目标半导体柱，第一预设工艺与第二预设工艺不同，第一方向与厚度方向垂直。上述方法能够改善目标半导体柱表面的单晶硅的晶体质量，以提高沟道的载流子迁移率，进而提高环绕式栅极器件的性能，同时还能够提高器件集成度。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿所述衬底的厚度方向依次交替叠置的牺牲部及初始半导体柱，所述牺牲部与所述衬底相邻； 采用第一预设工艺，去除所述牺牲部，所述初始半导体柱中沿第一方向延伸的外表面形成界面层，剩余的所述初始半导体柱用于形成中间半导体柱； 采用第二预设工艺，去除所述界面层及部分所述中间半导体柱所构成的腐蚀层；其中，剩余的所述中间半导体柱用于形成目标半导体柱，所述第一预设工艺与所述第二预设工艺不同，所述第一方向与所述厚度方向垂直。
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