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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利存储装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410687657.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置及其制备方法是由李军辉设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，提供了一种存储装置，包括：衬底；设在衬底上的至少一层存储器件层，存储器件层至少包括一存储单元、写入字线、写入位线、读取字线以及读取位线；存储单元包括写入晶体管和读取晶体管；写入晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源电极，第一栅电极竖直设置在衬底上；读取晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二栅极绝缘层、第二源电极和第二漏电极，第二有源层竖直设在衬底上；第二栅电极还包括与第一有源层的漏极端连接的水平延伸部；在竖直方向上，写入字线位于第一源电极远离水平延伸部的一侧。本发明还提供了一种存储装置的制备方法。本发明对竖直与水平方向的空间有效利用，可提升存储密度。

本发明授权存储装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括绝缘表面；以及 设置在所述绝缘表面上的至少一层存储器件层，所述存储器件层包括存储单元、写入字线、写入位线、读取字线以及读取位线； 所述存储单元包括写入晶体管和读取晶体管； 所述写入晶体管包括第一栅电极、第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源电极，所述第一栅电极竖直地设置在所述衬底上，所述第一有源层设置于所述第一栅电极的至少部分外围，所述第一栅极绝缘层设置于所述第一栅电极和第一有源层之间，所述第一源电极连接于所述第一有源层的源极端； 所述读取晶体管包括第二栅电极、第二有源层、第二栅极绝缘层、第二源电极和第二漏电极，所述第二有源层竖直地设置在所述衬底上，所述第二栅电极设置于所述第二有源层的至少部分外围，所述第二栅极绝缘层设置于所述第二栅电极和第二有源层之间，所述第二源电极连接于所述第二有源层的源极端，所述第二漏电极连接于所述第二有源层的漏极端； 所述第二栅电极还包括水平延伸部，所述水平延伸部与所述第一有源层的漏极端连接； 所述第一栅电极连接写入字线，所述第一源电极连接写入位线，所述第二源电极连接读取字线，所述第二漏电极连接读取位线； 在竖直方向上，所述写入字线位于所述第一源电极远离所述水平延伸部的一侧。

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