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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种可片上集成的SiC MOSFET短路保护电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119362351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411358382.5，技术领域涉及：H02H3/08；该发明授权一种可片上集成的SiC MOSFET短路保护电路及芯片是由陈荣盛;赵嘉乐设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可片上集成的SiC MOSFET短路保护电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种可片上集成的SiCMOSFET短路保护电路及芯片，其中保护电路包括：逻辑控制单元，用于处理输入信号Vin与短路故障信号，其输出端连接驱动电路，当短路故障发生时向驱动电路输入故障信号；驱动电路，用于驱动SiCMOSFET；短路保护电路，用于在发生短路故障时向逻辑控制单元发送短路故障信号；Ids检测电路，用于检测SiCMOSFET的漏源电流Ids的值，并向短路保护电路输入一个与漏源电流Ids成正比的电压；复位电路，用于对完成短路保护动作的短路保护电路复位；本发明在短路保护电路内增加两个比较器，并且设置不同的阈值电压以判断是否发生HSF或FUL故障。本发明可广泛引用于短路保护技术领域。

本发明授权一种可片上集成的SiC MOSFET短路保护电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种可片上集成的SiCMOSFET短路保护电路，其特征在于，包括： 逻辑控制单元，用于处理输入信号Vin与短路故障信号，其输出端连接驱动电路，当短路故障发生时向驱动电路输入故障信号；所述逻辑控制单元的第一输入端连接输入信号Vin，第二输入端连接短路保护电路的输出端，第三输入端连接复位电路输出端； 驱动电路，用于驱动SiCMOSFET；所述驱动电路的输入端与逻辑控制单元的输出端连接，输出端与SiCMOSFET的栅极连接； 短路保护电路，用于在发生短路故障时向逻辑控制单元发送短路故障信号；所述短路保护电路的第一输入端与Ids检测电路的输出端连接，输出端与逻辑控制单元连接；其中，所述短路保护电路设有两个比较器，通过结合预设的阈值电压以判断是否发生HSF故障或FUL故障； Ids检测电路，用于检测SiCMOSFET的漏源电流Ids的值，并向短路保护电路输入一个与漏源电流Ids成正比的电压；所述Ids检测电路的输入端与SiCMOSFET的源极连接； 复位电路，用于对完成短路保护动作的短路保护电路复位；所述复位电路的输入端连接输入信号Vin，输出端与逻辑控制单元连接。

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