浙江驰拓科技有限公司李琨琨获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利随机存取存储器结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310836458.X，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权随机存取存储器结构及其制作方法是由李琨琨;何世坤设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本随机存取存储器结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种随机存取存储器结构及其制作方法。该方法包括：基底，基底包括毗邻设置的阵列区和逻辑区，基底具有台阶结构，台阶结构具有对应阵列区的第一台阶面以及对应逻辑区的第二台阶面；第一导电通道，第一导电通道自第一台阶面延伸至阵列区中的第一金属连线层；第二导电通道，第二导电通道自第二台阶面延伸至逻辑区中的第二金属连线层；随机存取存储器单元，随机存取存储器单元设置于第一台阶面上且与第一导电通道接触设置；顶部金属层，顶部金属层至少与随机存取存储器单元远离第一导电通道的一侧接触设置。通过本申请，减少了光罩的数量，简化了工艺流程，从而大大降低了随机存取存储器结构的制作成本。
本发明授权随机存取存储器结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种随机存取存储器结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括毗邻设置的阵列区和逻辑区，所述基底具有台阶结构，所述台阶结构具有对应所述阵列区的第一台阶面以及对应所述逻辑区的第二台阶面； 第一导电通道，所述第一导电通道自所述第一台阶面延伸至所述阵列区中的第一金属连线层； 第二导电通道，所述第二导电通道自所述第二台阶面延伸至所述逻辑区中的第二金属连线层； 随机存取存储器单元，所述随机存取存储器单元设置于所述第一台阶面上且与所述第一导电通道接触设置； 顶部金属层，所述顶部金属层至少与所述随机存取存储器单元远离所述第一导电通道的一侧接触设置。
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