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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利单模微盘谐振器件及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119200094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585895.X，技术领域涉及：G02B6/26；该发明授权单模微盘谐振器件及其制备方法和应用是由杨振;林雨;曾中明;韩鹤彬设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本单模微盘谐振器件及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单模微盘谐振器件及其制备方法和应用。基于非晶态氧化镓的单模微盘谐振器件包括：用于耦合输入和输出光的光耦合器、半圆滑轮型耦合波导结构和氧化镓微盘谐振腔结构；采用半圆滑轮型耦合波导的设计，通过设计耦合波导的宽度和弯曲半径，使其与微盘之间满足相位匹配条件，实现对微盘中不同径向模式的光进行选择，最终实现单模的输出；同时，通过调控用于刻蚀混合气体比例可以获得较高的非晶氧化镓耦合波导的刻蚀速率、提高耦合波导的侧壁角度以及改善氧化镓耦合波导的表面形貌，本发明也首次开发了非晶态氧化镓耦合波导的制备方法，在集成光子芯片技术领域具有重要的应用价值。

本发明授权单模微盘谐振器件及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单模微盘谐振器件，其特征在于，包括： 设置在同一工作面内的第一光耦合器、耦合波导、第二光耦合器以及微盘谐振腔，所述第一光耦合器、所述耦合波导、所述第二光耦合器以及所述微盘谐振腔是由非晶态氧化镓薄膜一体加工形成的，所述耦合波导包括依次连接的第一波导、第二波导和第三波导，所述第一光耦合器、所述第二光耦合器分别与所述第一波导、所述第三波导连接，所述第二波导间隔设置在所述微盘谐振腔的一侧，所述第二波导为环绕所述微盘谐振腔设置的弧形结构， 所述耦合波导与所述微盘谐振腔之间的耦合系数κ为： 其中，nwgRwg＝ndiskRdisk，θ0为第二波导环绕微盘谐振腔耦合的角度，θ是的耦合角度变化范围的变量，θ为-θ0到θ0，i表示积分的方向，S是一个由耦合波导的尺寸决定的常数，Edisk和Ewg分别表示微盘谐振腔、耦合波导中的归一化电场强度，εr,z表示发生耦合时微盘谐振腔中不同位置模式扰动对应的介电常数，ε0表示没有发生耦合的微盘谐振腔对应的介电常数，κ0＝2πλ0，κ0为自由空间的波数，λ0是输入波长，m为微盘谐振腔的方位角模式级数，nwg为耦合波导的有效折射率，Rwg为第二波导的曲率半径，ndisk为微盘谐振腔的有效折射率，Rdisk为微盘谐振腔的半径，Rwg＝Rdisk+g+w2，g为第二波导与微盘谐振腔之间的耦合间距，w为第二波导的宽度。

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